Investigation of the parallel connection of semiconductor elemments in voltage inverters
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TextoDetalles de publicación: Valparaíso: UTFSM, 2007Descripción: x, 89 h.: ilTema(s): SEMICONDUCTORES | CIRCUITOS ELECTRICOS | SEMICONDUCTORES DE POTENCIA | BC / MEM (memorias UTFSM con resúmenes)Clasificación CDD: M 621.3815 Nota de disertación: Tesis (Ing. Civil Electrónico, mención control e instrumentación) -- Prof. guía: Josè Rodriguez P. Tema: [Resumen del autor]Tema: El objetivo de este trabajo es validar empíricamente nuevos métodos presentados en diversas publicaciones para la conexión en paralelo de semiconductores de potencia, comparar estos métodos con las soluciones actuales existentes en la literatura e incluso mezclar los distintos métodos propuestos. Básicamente, todas las soluciones involucran el uso de pequeñas inductancias, las cuales estratégicamente conectadas, ayudan a reducir los desbalances de corrientes propios de la conexión en paralelo, tanto estática como dinámicamente. Este trabajo fue realizado en el instituto de electrónica de potencia de la universidad técnica de Berlín como base para futuras investigaciones en la conexión en paralelo de IGCTs (integrated gate-commutated thyristors). Para probar los conceptos propuestos tanto en las nuevas publicaciones como en la literatura actual, se construyó un prototipo de relativamente baja potencia (200 Watts) con un circuito puente semicontrolado de cuatro MOSFET en paralelo, a los cuales se les modificará externamente algunas características para forzar diferencias entre los elementos semiconductores, de modo de observar más claramente las mejoras en la distribución de corriente por parte de las soluciones propuestas. La aplicación final de los resultados obtenidos será útil para obtener experiencia en la conexión en paralelo de semiconductores de mayor potencia, en específico con IGCTs en donde los altos voltajes, corrientes y costos involucrados hacen imposible realizar estas pruebas directamente. En resumen, este trabajo presenta las pruebas a baja potencia que serán realizadas en posteriores investigaciones con IGCT's.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | número de clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Memorias
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Biblioteca Central | Memorias | M 621.3815 M972 EST.ABIERTA (Navegar estantería(Abre debajo)) | 2 | Disponible | 3560900138696 |
CD Rom incluye tesis en formato PDF y presentación en Power Point
Incluye apéndices
Tesis (Ing. Civil Electrónico, mención control e instrumentación) -- Prof. guía: Josè Rodriguez P.
h. 76 - 77
[Resumen del autor]
El objetivo de este trabajo es validar empíricamente nuevos métodos presentados en diversas publicaciones para la conexión en paralelo de semiconductores de potencia, comparar estos métodos con las soluciones actuales existentes en la literatura e incluso mezclar los distintos métodos propuestos. Básicamente, todas las soluciones involucran el uso de pequeñas inductancias, las cuales estratégicamente conectadas, ayudan a reducir los desbalances de corrientes propios de la conexión en paralelo, tanto estática como dinámicamente. Este trabajo fue realizado en el instituto de electrónica de potencia de la universidad técnica de Berlín como base para futuras investigaciones en la conexión en paralelo de IGCTs (integrated gate-commutated thyristors). Para probar los conceptos propuestos tanto en las nuevas publicaciones como en la literatura actual, se construyó un prototipo de relativamente baja potencia (200 Watts) con un circuito puente semicontrolado de cuatro MOSFET en paralelo, a los cuales se les modificará externamente algunas características para forzar diferencias entre los elementos semiconductores, de modo de observar más claramente las mejoras en la distribución de corriente por parte de las soluciones propuestas. La aplicación final de los resultados obtenidos será útil para obtener experiencia en la conexión en paralelo de semiconductores de mayor potencia, en específico con IGCTs en donde los altos voltajes, corrientes y costos involucrados hacen imposible realizar estas pruebas directamente. En resumen, este trabajo presenta las pruebas a baja potencia que serán realizadas en posteriores investigaciones con IGCT's.
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