Detalles MARC
| 000 -CABECERA |
|---|
| campo de control de longitud fija |
02906nam a22003375 4500 |
| 001 - NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
u81745 |
| 003 - IDENTIFICADOR DEL NÚMERO DE CONTROL |
|---|
| campo de control |
USM |
| 005 - FECHA Y HORA DE LA ÚLTIMA TRANSACCIÓN |
|---|
| campo de control |
20190716063643.0 |
| 008 - DATOS DE LONGITUD FIJA--INFORMACIÓN GENERAL |
|---|
| campo de control de longitud fija |
090702s2007 vaca eng d |
| 035 ## - NÚMERO DE CONTROL DEL SISTEMA |
|---|
| Número de control de sistema |
(Sirsi) 113470 |
| 040 ## - FUENTE DE LA CATALOGACIÓN |
|---|
| Centro catalogador/agencia de origen |
UTFSM |
| 082 00 - NÚMERO DE LA CLASIFICACIÓN DECIMAL DEWEY |
|---|
| Número de clasificación |
M 621.3815 |
| Número de documento/Ítem |
M972 |
| 100 2# - ENTRADA PRINCIPAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Muratt Rodríguez, Jorge Antonio |
| 9 (RLIN) |
68254 |
| 245 10 - MENCIÓN DE TÍTULO |
|---|
| Título |
Investigation of the parallel connection of semiconductor elemments in voltage inverters |
| 260 00 - PUBLICACIÓN, DISTRIBUCIÓN, ETC. (PIE DE IMPRENTA) |
|---|
| Lugar de publicación, distribución, etc. |
Valparaíso: |
| Nombre del editor, distribuidor, etc. |
UTFSM, |
| Fecha de publicación, distribución, etc. |
2007 |
| 300 ## - DESCRIPCIÓN FÍSICA |
|---|
| Extensión |
x, 89 h.: |
| Otras características físicas |
il. |
| 500 ## - NOTA GENERAL |
|---|
| Nota general |
CD Rom incluye tesis en formato PDF y presentación en Power Point |
|
|---|
| Nota general |
Incluye apéndices |
| 502 ## - NOTA DE TESIS |
|---|
| Nota de tesis |
Tesis (Ing. Civil Electrónico, mención control e instrumentación) -- Prof. guía: Josè Rodriguez P. |
| 504 ## - NOTA DE BIBLIOGRAFÍA, ETC. |
|---|
| Bibliografía, etc. |
h. 76 - 77 |
| 520 0# - SUMARIO, ETC. |
|---|
| Sumario, etc. |
[Resumen del autor] |
|
|---|
| Sumario, etc. |
El objetivo de este trabajo es validar empíricamente nuevos métodos presentados en diversas publicaciones para la conexión en paralelo de semiconductores de potencia, comparar estos métodos con las soluciones actuales existentes en la literatura e incluso mezclar los distintos métodos propuestos. Básicamente, todas las soluciones involucran el uso de pequeñas inductancias, las cuales estratégicamente conectadas, ayudan a reducir los desbalances de corrientes propios de la conexión en paralelo, tanto estática como dinámicamente. Este trabajo fue realizado en el instituto de electrónica de potencia de la universidad técnica de Berlín como base para futuras investigaciones en la conexión en paralelo de IGCTs (integrated gate-commutated thyristors). Para probar los conceptos propuestos tanto en las nuevas publicaciones como en la literatura actual, se construyó un prototipo de relativamente baja potencia (200 Watts) con un circuito puente semicontrolado de cuatro MOSFET en paralelo, a los cuales se les modificará externamente algunas características para forzar diferencias entre los elementos semiconductores, de modo de observar más claramente las mejoras en la distribución de corriente por parte de las soluciones propuestas. La aplicación final de los resultados obtenidos será útil para obtener experiencia en la conexión en paralelo de semiconductores de mayor potencia, en específico con IGCTs en donde los altos voltajes, corrientes y costos involucrados hacen imposible realizar estas pruebas directamente. En resumen, este trabajo presenta las pruebas a baja potencia que serán realizadas en posteriores investigaciones con IGCT's. |
| 596 ## - |
|---|
| -- |
2 |
| 650 00 - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA--TÉRMINO DE MATERIA |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
SEMICONDUCTORES |
| 9 (RLIN) |
121147 |
|
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
CIRCUITOS ELECTRICOS |
| 9 (RLIN) |
107857 |
|
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
SEMICONDUCTORES DE POTENCIA |
| 9 (RLIN) |
121149 |
| 690 ## - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL DE MATERIA LOCAL--TÉRMINO DE MATERIA (OCLC, RLIN) |
|---|
| Término de materia o nombre geográfico como elemento inicial |
BC / MEM (memorias UTFSM con resúmenes) |
| 700 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE PERSONA |
|---|
| Nombre de persona |
Rodríguez Pérez, José Ramón (Comisión de tesis) |
| Término indicativo de función/relación |
, prof. guía |
| 9 (RLIN) |
82364 |
| 710 2# - PUNTO DE ACCESO ADICIONAL--NOMBRE DE ENTIDAD CORPORATIVA |
|---|
| Nombre de entidad corporativa o nombre de jurisdicción como elemento de entrada |
UTFSM. |
| Unidad subordinada |
Departamento de Electrónica (1994-) |
| 9 (RLIN) |
3739 |
| 948 ## - PROCESAMIENTO DE INFORMACIÓN LOCAL (OCLC); DESIGNADOR DE PARTE DE LA SERIE (RLIN) |
|---|
| Designador de la parte de la serie, SPT (RLIN) |
07/11/2008 |
| b (OCLC) |
03/07/2009 |
| z (OCLC) |
USM |
