Fundamentals of silicon integrated device technology
Tipo de material:
TextoSeries Prentice-Hall electrical engineering seriesEditor: Englewood Cliffs, New Jersey : Prentice-Hall, 1967Descripción: 2 v. : ilTipo de contenido: text Tipo de medio: unmediated Tipo de portador: volumeTema(s): SILICONAS | MICROELECTRONICAClasificación CDD: 621.3817
Contenidos:
v.1 Oxidation, diffusion and epitaxy - v.2 Bipolar and unipolar transistors
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | número de clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Libro General
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Biblioteca Central | Colección Pasiva | 621.3817 F981 V.1 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 35609001040705 |
Navegando Biblioteca Central Estantes, Ubicación: Bodega Quinto Piso, Código de colección: Colección Pasiva Cerrar el navegador de estanterías (Oculta el navegador de estanterías)
v.1 Oxidation, diffusion and epitaxy - v.2 Bipolar and unipolar transistors