Transistores de efecto de campo a metal y óxido Paul Richman
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TextoDetalles de publicación: Buenos Aires : Hispano Americana S.A., 1973Descripción: 142 p. : ilTema(s): SEMICONDUCTORES | TRANSISTORESClasificación CDD: 621.38152
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | número de clasificación | Copia número | Estado | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Libro General
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Biblioteca Sede Concepción | Colección General | 621.381528 R412 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 35609015089805 | |
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Libro General
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Biblioteca Sede Viña del Mar | Colección General | 621.38152 R532 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | 35609010275193 | |
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Libro General
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Biblioteca Sede Viña del Mar | Colección General | 621.38152 R532 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 2 | Disponible | 3560901038744 |
Navegando Biblioteca Sede Concepción Estantes, Ubicación: Colección General, Código de colección: Colección General Cerrar el navegador de estanterías (Oculta el navegador de estanterías)
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| 621.381528 M257 1997 Electrónica industrial moderna / [Ediciones 1997-2006] | 621.381528 M257 1997 Electrónica industrial moderna / [Ediciones 1997-2006] | 621.381528 M257 1997 Electrónica industrial moderna / [Ediciones 1997-2006] | 621.381528 R412 Transistores de efecto de campo a metal y óxido | 621.3815287 B432F Funcionamiento del triac | 621.3815287 B432F Funcionamiento del triac | 621.3815287 B432F Funcionamiento del triac |
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