Incorporación de efectos no lineales en el algortimo de control predictivo de corriente para conertidores fuente de tensión
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TextoDetalles de publicación: Valparaíso: UTFSM, 2014Descripción: v, 70 h.: ilClasificación CDD: M ELI Nota de disertación: Tesis (Ing. Civil Electricista ) -- Prof. Guía: Andrés Mora; prof. corref.: Pablo Lezana Resumen: En este trabajo se presenta la incorporaciþon del tiempo muerto y de la caþıda de tensiþon de los semiconductores en el algoritmo de control predictivo basado en modelos (MPC) en su versiþon de estados finitos (FCS-MPC: finite control-set model predictive control), evaluando su efecto en inversores trifþasicos fuente de tensiþon (VSI) de dos y cinco niveles. El tiempo muerto, incorporado por seguridad para evitar cortocircuitar la fuente de alimentaciþon en la conmutaciþon de semiconductores de una misma pierna, impone tensiones iguales o diferentes a las proyectadas por sistema de control dependiendo el sentido de la corriente en ese instante(tensiones de distorsiþon) las cuales son una fuente de error adicional en la selecciþon de las tensiones aplicadas a la carga. Para contrarrestar este efecto, se desarrollan diferentes estrategias de control considerando tiempos muertos de 2, 4 y 6?s, aplicadas a diferentes cargas resistiva-inductiva (RL) con constantes de tiempo desde 0.857ms hasta 20ms, con frecuencias de referencias desde 5Hz hasta los 50Hz, e incorporando mejoras en el modelo del inversor a travþes de la caþıda de tensiþon en los semiconductores. Como medidas de rendimiento de las estrategias de control, se utilizan el THD y el error en la amplitud de la se?nal fundamental de corriente. Las estrategias se proponen en base a simulaciones realizadas en MATLABr y Simulinkr, las que son validadas experimentalmente a travþes de un prototipo de inversor trifþasico de voltaje de dos niveles.
| Tipo de ítem | Biblioteca actual | Colección | número de clasificación | Copia número | Estado | Notas | Fecha de vencimiento | Código de barras |
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Memorias
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Biblioteca Central | Memorias | M ELI H557 2014 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 1 | Disponible | DISPONIBLE A TRAVES DE REPOSITORIO INSTITUCIONAL | 3560900227836 | |
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Memorias
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Biblioteca Central | Memorias | M ELI H557 2014 (Navegar estantería(Abre debajo)) | 2 | Disponible | DISPONIBLE A TRAVES DE REPOSITORIO INSTITUCIONAL | 3560900227839 |
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Tesis (Ing. Civil Electricista ) -- Prof. Guía: Andrés Mora; prof. corref.: Pablo Lezana
En este trabajo se presenta la incorporaciþon del tiempo muerto y de la caþıda de tensiþon de los semiconductores en el algoritmo de control predictivo basado en modelos (MPC) en su versiþon de estados finitos (FCS-MPC: finite control-set model predictive control), evaluando su efecto en inversores trifþasicos fuente de tensiþon (VSI) de dos y cinco niveles. El tiempo muerto, incorporado por seguridad para evitar cortocircuitar la fuente de alimentaciþon en la conmutaciþon de semiconductores de una misma pierna, impone tensiones iguales o diferentes a las proyectadas por sistema de control dependiendo el sentido de la corriente en ese instante(tensiones de distorsiþon) las cuales son una fuente de error adicional en la selecciþon de las tensiones aplicadas a la carga. Para contrarrestar este efecto, se desarrollan diferentes estrategias de control considerando tiempos muertos de 2, 4 y 6?s, aplicadas a diferentes cargas resistiva-inductiva (RL) con constantes de tiempo desde 0.857ms hasta 20ms, con frecuencias de referencias desde 5Hz hasta los 50Hz, e incorporando mejoras en el modelo del inversor a travþes de la caþıda de tensiþon en los semiconductores. Como medidas de rendimiento de las estrategias de control, se utilizan el THD y el error en la amplitud de la se?nal fundamental de corriente. Las estrategias se proponen en base a simulaciones realizadas en MATLABr y Simulinkr, las que son validadas experimentalmente a travþes de un prototipo de inversor trifþasico de voltaje de dos niveles.
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CONSULTE EN LINEA A TRAVES DE REPOSITORIO INSTITUCIONAL