Compensación estática de potencia reactiva en el SIC, mediante dispositivos Facts

Por: Guzmán Espinoza, Felipe RodrigoColaborador(es): Leiva Blanco, Nelson (Comisión de tesis) [, prof.guía] | Bustos Obregón, Julián (Comisión de tesis) [, prof.guía] | UTFSM Departamento de Ingenieria Eléctrica (2009-)Tipo de material: TextoTextoDetalles de publicación: Valparaíso: UTFSM, 2011Descripción: xiii, 190 h.:bilTema(s): BC / MEM (memorias UTFSM con resúmenes)Clasificación CDD: M ELI Nota de disertación: Tesis ( Ing. Eléctrica) -- Prof. guías: Nelson Leiva Blanco, Victor Hinojosa Mateus Resumen: [Resumen del autor]Resumen: La evolución de los dispositivos para compensación reactiva ha sido permanente, participando del continuo desarrollo del Sistema Interconectado Central, SIC. Con la incorporación de la electrónica de potencia se han impulsado distintas estrategias, entre las que destaca el desarrollo de sistemas de transmisión flexibles de corriente alterna ó FACTS (según su abreviación en inglés), orientados no solo a brindar control sobre las tensiones de la red, sino también a maximizar el uso de los sistemas de transmisión en áreas específicas de la red existente. En este contexto, el objetivo general de esta memoria de titulación es contribuir a la integración de tecnologías FACTS utilizadas en el SIC, desarrollando un estudio de los dispositivos de compensación estáticos que fueron instalados recientemente y que estarán en servicio en el corto plazo, en la zona central del SIC. Estos equipos corresponden a un Compensador Estático de VAR?s, SVC, y un Compensador Estático Sincrónico, STATCOM, proyectados en distintos nodos del sistema, de los cuales se detallan sus principales características constructivas y operativas. Con el objetivo de estudiar algunos de sus beneficios, se somete a estos equipos a un conjunto de simulaciones computacionales estáticas y dinámicas dentro del SIC, bajo condiciones de operación normal y alerta. Se concluye en base a los resultados obtenidos de este estudio, que la incorporación de tecnologías FACTS, permitirá un adecuado y rápido control sobre la tensión de las barras a los cuales están conectados estos dispositivos, mejorando a su vez, el soporte de reactivos, la capacidad de transporte y seguridad en el servicio de la zona central del SIC.
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Tesis ( Ing. Eléctrica) -- Prof. guías: Nelson Leiva Blanco, Victor Hinojosa Mateus

h. 123

[Resumen del autor]

La evolución de los dispositivos para compensación reactiva ha sido permanente, participando del continuo desarrollo del Sistema Interconectado Central, SIC. Con la incorporación de la electrónica de potencia se han impulsado distintas estrategias, entre las que destaca el desarrollo de sistemas de transmisión flexibles de corriente alterna ó FACTS (según su abreviación en inglés), orientados no solo a brindar control sobre las tensiones de la red, sino también a maximizar el uso de los sistemas de transmisión en áreas específicas de la red existente. En este contexto, el objetivo general de esta memoria de titulación es contribuir a la integración de tecnologías FACTS utilizadas en el SIC, desarrollando un estudio de los dispositivos de compensación estáticos que fueron instalados recientemente y que estarán en servicio en el corto plazo, en la zona central del SIC. Estos equipos corresponden a un Compensador Estático de VAR?s, SVC, y un Compensador Estático Sincrónico, STATCOM, proyectados en distintos nodos del sistema, de los cuales se detallan sus principales características constructivas y operativas. Con el objetivo de estudiar algunos de sus beneficios, se somete a estos equipos a un conjunto de simulaciones computacionales estáticas y dinámicas dentro del SIC, bajo condiciones de operación normal y alerta. Se concluye en base a los resultados obtenidos de este estudio, que la incorporación de tecnologías FACTS, permitirá un adecuado y rápido control sobre la tensión de las barras a los cuales están conectados estos dispositivos, mejorando a su vez, el soporte de reactivos, la capacidad de transporte y seguridad en el servicio de la zona central del SIC.

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